以下に、次の分類用語を使用するページがあります “(SiC)” 炭化ケイ素 SiC ファーネスランプ ファブ内では、フォトレジストの焼成は単なる推奨事項ではなく、必ず守らなければならない規格です。ソフトベイクやハードベイクの温度が2°C変動するだけで、ウェーハの寸法に不具合が生じ、欠陥が発生し、最悪の場合はウェーハが廃棄処分されてしまいます。したがって、炉内のランプは、シフトを重ねても安定した熱を... Read more...
炭化ケイ素 SiC ファーネスランプ ファブ内では、フォトレジストの焼成は単なる推奨事項ではなく、必ず守らなければならない規格です。ソフトベイクやハードベイクの温度が2°C変動するだけで、ウェーハの寸法に不具合が生じ、欠陥が発生し、最悪の場合はウェーハが廃棄処分されてしまいます。したがって、炉内のランプは、シフトを重ねても安定した熱を... Read more...