ファブ内では、フォトレジストの焼成は単なる推奨事項ではなく、必ず守らなければならない規格です。ソフトベイクやハードベイクの温度が2°C変動するだけで、ウェーハの寸法に不具合が生じ、欠陥が発生し、最悪の場合はウェーハが廃棄処分されてしまいます。したがって、炉内のランプは、シフトを重ねても安定した熱を供給できる必要があります。
内部構造が重要な理由
私たちは、高速かつ表面からの加熱が可能な短波長赤外線を利用してSiCランプを開発しました。ウェーハ全体の温度均一性は±0.1°C以内に保たれています。 ランプ本体はクリーンルーム対応で、ISOクラス1～100に準拠しています。また、発ガス量が少ない材料を使用し、粒子の発生を防ぐ設計になっています。粒子が全く発生しないというのは単なるスローガンではなく、試験運転時に実際に測定して確認しています。その結果、安定した焼成パターンが得られ、工程の精度が向上し、ロットごとにフォトレジストの特性が一定に保たれます。
リソグラフィーやフォトレジスト処理に適している理由
リソグラフィーやフォトレジスト処理では、温度管理が非常に重要です。ランプは、設定された温度に迅速に到達し、その温度を維持し、余分な熱が発生しないように冷却する必要があります。 このSiCランプは、加熱時間を短縮し、温度の遅れを減少させ、シフトを重ねても再現性を維持します。実際、これにより再作業が減少し、初回の歩留まりが向上し、工程のスケジュールを計画しやすくなります。また、入力電力が無駄なく熱に変換されるため、エネルギー消費も削減されます。さらに、長寿命のため、メンテナンスによる停止時間も最小限に抑えられます。
正しく設置するためのポイント
設置時には、炉の形状に合わせてランプを配置し、電気的な接続を正しく行うことが重要です。電圧、コネクタの種類、接地などを正しく設定しないと、局所的に過度な加熱が起こったり、問題が生じたりします。 ランプは、チャンバー内の反射板の形状が放射パターンに合致しているときに最も効果的に機能します。位置がずれると、ピーク温度が上昇し、温度均一性が損なわれます。 ウェーハの表面状態を把握し、焼成パターンを確定させるために、短時間の試運転を行います。一度設定されれば、ランプは24時間365日稼働し、出力の変動も最小限ですが、依然として定期的な校正が必要です。