Ofen on Cozy Infrared Home Heating

Oven mit Infrarotheizer für Saalreinräume

Mon, 27 Jul 2026 10:10:53 +0800

Warum wir auf Infrarotstrahlung für die Aushärtung von Halbleitern umsteigen
Die alte Methode des Trocknens und Aushärtens in Reinräumen – bei der konvektive Prozesse sowie Lösungsmittel verwendet werden – funktioniert heute nicht mehr. Alles bewegt sich in Richtung „grüner“ und bleifreier Standards – und genau da kommen Infrarotheizer ins Spiel.

Stellen Sie sich vor: Herkömmliche Öfen verbrauchen enorme Mengen an Energie, um die Luft zu erwärmen – nur damit diese Luft anschließend das Bauteil erwärmen kann. Das ist eine Verschwendung. Infrarotlampen umgehen das völlig. Sie strahlen die Energie direkt auf das Substrat ab.

Kohlenstoffsilizium (SiC) Ofenlampe

Tue, 23 Jun 2026 01:23:00 +0800

Im Produktionsbereich ist das Trocknen des Fotoleitmittels keine Empfehlung – es handelt sich dabei vielmehr um eine notwendige Vorgabe. Eine Abweichung von 2°C bei der Temperaturkontrolle während des Trocknungsprozesses kann dazu führen, dass kritische Abmessungen verändert werden, Defekte entstehen und die Wafer in den Müll geworfen werden müssen. Die Ofenglampe muss daher Wärme liefern, die vorhersehbar und wiederholbar ist – von Schicht zu Schicht.

Was wirklich wichtig ist: Wir haben die SiC-Ofenglampe so konzipiert, dass sie kurzwelliges Infrarotlicht verwendet, um eine schnelle, oberflächenbasierte Erwärmung zu erreichen. Die thermische Homogenität wird auf ±0,1°C innerhalb der Waferoberfläche gehalten. Der Lampenkörper ist für Reinräume geeignet und entspricht den Anforderungen der ISO-Klassen 1–100. Wir verwenden Materialien mit geringer Gasemission sowie eine Konstruktion, die Partikelbildung verhindert. Eine absolute Partikelfreiheit ist kein nur leeres Versprechen – wir überprüfen dies durch präzise Messungen während der Qualifikationsprozesse. Das Ergebnis sind stabile Trocknungsprofile, engere Prozessparameter sowie ein konstantes Verhalten des Fotoleitmittels von Charge zu Charge.

Heizelement der LPCVD Öfen

Thu, 18 Jun 2026 04:58:11 +0800

In der Fabrikhalle erhält ein LPCVD-Ofen keine zweite Chance aufgrund von thermischen Abweichungen. Schon eine kleine Abweichung führt dazu, dass die Schichtdicke nicht korrekt ist, die Dotierungspunkte nicht an der richtigen Stelle liegen – und am Ende hat man nur noch Haufen von beschädigten Wafern. Wir haben das Heizelement so konstruiert, dass die Temperatur im Laufe mehrerer Betriebszyklen konstant bleibt.

Was technisch wichtig ist:
Das Heizelement nutzt die Stabilität des Quarzes sowie die Reaktion auf kurzwelliges Infrarotlicht, um die Temperatur schnell und gleichmäßig zu erhöhen. Die Gleichmäßigkeit der Temperatur auf den Wafern liegt dabei bei ±0,1°C. Die verwendeten Materialien sind förderbedingt geeignet, sodass die Anzahl der Partikel unterhalb der geforderten Werte bleibt. Dadurch wird sowohl die Kammer als auch die Wafern vor Schäden geschützt. Die Wiederholgenauigkeit ist bereits in der Konstruktion berücksichtigt – dadurch liegen alle Chargen innerhalb der Spezifikationen.